典型面阵图像传感器工作原理——DL32型面阵CCD

根据转移和读出的结构方式不同，有不同类型的面阵摄像器件。这里仅以DL32型面阵CCD为例简单介绍其结构、原理、驱动电路和特性。

DL32型面阵CCD为N型表面沟道、三相三层多晶硅电极、帧转移型面阵器件，该器件主要由摄像区、存储区、水平移位寄存器和输出电路等四部分构成，如图12 - 20所示。摄像区和存储区均由256×320个三相CCD单元构成，水平移位寄存器由325个三相交大的CCD单元构成，其输出电路由输出栅OG、补偿放大器和信号通道放大器构成。

摄像区和存储区的CCD单元的结构尺寸如图12-21所示，其沟道区长20μm，沟阻区长为4μm。在垂直方向上，它由三层交叠多晶硅电极构成，每层电极的宽度为8μm，一个CCD单元的垂直尺寸为24μm，可见某一电极光积分的有效光敏面积为8μm×20μm，光敏区总面积为7.7mm×6.1mm，对角线长度为9.82mm

 水平移动寄存器的CCD单元尺寸如图12-22所示，水平方向长18μm，沟道宽度为36μm。每个电极处理电荷的实际区域为6μm×36μm。

 CCD输出电路如图12-23所示。该电路由一个双栅（直流栅电压URD和交流栅脉冲φR）复位场效应管和用作源极跟随放大器的场效应管构成。复位管双栅沟道长为30μm、宽为20μm。放大场效应管沟道长为10μm、宽为60μm。这两个场效应管的跨导分别为180μs和600μs。