光敏电阻结构及原理

光敏电阻的结构原理如图11-5(a)所示。光敏半导体材料是纯电阻性的。当无光照射时,其暗电阻值很大(大多数光敏材料的暗电阻值超过1MΩ),电路的暗电流很小;当受到一定波长范围的光照射时，其电阻值急剧减小,电路电流随之迅速增加。

光敏半导体材料,除常用的硅、锗外、硫化镉、硫化铅、锑化铟、硒化镉等半导体材料的应用也日益广泛。光敏电阻阻值的变化与光照波长有关,因此,应用时应根据光波波长,合理选择由不同材料做成的光敏电阻。光敏电阻无极性之分,使用时在两电极间加上恒定的交流或直流电压均可。光丝电阻在电路图中的符号见图11-5(b)。