根据智能传感器的智能化程度、功能和复杂度、智能传感技术的发展过程，将七成传感器分为三种形式：
智能传感器的初级形式
该类智能传感器的典型特征是:在传感器内部集成有温度补偿及校正电路、线性补偿电路和信号处理电路。但该类传感器的“智能”含量少,其核心是不具有微处理器,因此不具备更高级的智能。在精度和性能上仍有一定差距,有待于进一步的完善。所以此形式的智能传感器仅处于初级阶段。
现以"具有CMOS放大器的单片集成压阻式压力传感器"为例,如图15-3是硅盒结构集成压力传感器芯片剖面图。该结构采用了硅盒结构,将压敏单元与CMOS信和号调理电路集成在同一硅芯片中,其加工过程是：先在下层硅片表面通过遮蔽腐蚀的方法形成深10μm，长、宽各60μm的凹坑，将上层硅片与下层硅片在1150℃高温中键合形成硅盒结构，从而在两层硅片之间成一个参照压力空腔。然后将上层硅片减薄至30μm，再将其表面抛光，通过光刻对中的方法，在参照压力空腔上方的硅膜上用离子注入工艺形成压敏电桥,用标准的CMOS工艺在空腔外围的上层硅片上制作CMOS信号放大电路,从而形成单片集成的结构。
这种硅盒结构的一大特点是:只需在硅芯片单面进行加工,其工艺与标准芯片制造工艺完全兼容,从而克服了传统硅杯型压力传感器在制作工艺上与芯片制造工艺不兼容的缺点,使压敏元件与信号调整电路的单片集成成为现实。
整个集成压力传感器芯片面积为1.5m㎡。其电路如图15-4所示。图中R1~R4组成的压阻全桥构成了力敏传感单元,每臂电阻阻值约为5kΩ;信号放大电路由三个CMOS运算放大器及电阻网络组成;A1、A2构成同相输入放大器,输入电阻很高.共模抑制比也很高A3接成基本差动输入放大器形式。整个放大电路的差模放大倍数为:
